院士：造不如买害惨光刻机！研发能力丧失

光刻机研发历史与现状

中国科学院的白春礼院士在一次媒体对话中提到，上世纪70年代的时候，中国其实自己也在搞光刻机。那时候中科院和清华大学都曾经尝试过自主研发光刻机技术。当时的水平跟日本差不多，虽然跟国际最顶尖的技术还有差距，但至少不是差一代的水平，基本上是在同一条起跑线上。

不过，国外的光刻机做得更好，价格也卖给你。而我们自己的产品竞争力不够，根本没法跟国外竞争，结果就慢慢放弃了，这个产业也就渐渐消失了。后来大家就干脆买国外的，因为那时候全球化市场开放，国外的产品便宜又靠谱，慢慢地，我们自己的研发队伍也就散了，几乎失去了在光刻机领域继续发展的能力。

起步阶段的差距

中国在半导体产业的起步阶段，其实只是比国外稍微慢了一点点。比如说，1958年的时候，美国的基尔比和诺伊斯分别用不同的方式，发明了集成电路技术。而中国直到1965年才做出第一块集成电路，也就是说，那时候中美之间的技术差距还不到十年。

另外，全球第一台光刻机是美国的一家公司——珀金埃尔默公司制造的，型号是扫描式光刻机，当时能生产出栅极长度接近1微米的芯片。

步进式光刻机崛起

1978年，美国的一家叫地球物理公司（GCA）的公司，搞出了全球第一台步进式光刻机。这玩意儿特别厉害，能大幅提高芯片的合格率和生产效率，所以很快就拿到了不少美国军方的订单。那时候日本的尼康公司，还只是给GCA做镜头供应的。

后来，GCA的CEO格林伯格跟尼康解约了，还买下了自己的Tropel公司，开始自己搞整个供应链，想把产业链做得更完整。

这一下子刺激到了尼康。于是尼康就找了个跟GCA有合作的日本公司，让这家公司买了一台GCA的光刻机，然后转手交给尼康。尼康拿到之后就开始逆向拆解、研究，慢慢掌握了步进式光刻机的技术。

再加上尼康本身就有制造镜头的能力，所以没过多久，他们就成功做出了自己的光刻机，一下子在国际市场上压过了美国的光刻机企业。

光刻机发展困境

在70年代左右，咱们国家的光刻机产业进步得挺慢的。虽然也搞出了一些技术上的突破，但这些成果大多只是写在报告里，根本没有真正用到实际生产中去。

到了1985年，《光明日报》专门针对中国光刻机和其他大型设备的发展定下了一个目标：第一台要进口，第二台自己造出来，第三台再卖到国外去。这个目标听起来挺有条理的，但真做起来可不容易。

那时候正好是改革开放的热潮期，中国开始和国际接轨，鼓励外国高科技企业跟中国企业合作建厂，一起推动技术和工业的发展。

对于光刻机这个行业来说，当时日本的尼康占据了很大的市场。而荷兰的ASML，一直到2001年才真正发力——他们收购了美国硅谷那边的GCA公司，拿到了光刻机的核心技术，然后和台积电合作开发出了浸润式光刻机，后来就取代了尼康，成了全球光刻机领域的老大。

国产光刻机发展新突破

中国自己的光刻机设备，除了上海微电子一直宣传的SSA600之外，最近的新产品就是2024年工信部公布的国产氟化氩光刻机。

干式光刻机性能提升

跟SSA600光刻机相比，咱们国家最新推出的干式光刻机在性能上有了明显提升，分辨率从原来的90纳米提高到了65纳米，现在可以支持单次曝光来制造55纳米节点的芯片了。

如果说跟荷兰ASML的产品比的话，那这个新光刻机大概相当于ASML十几年前出的一款1460K机型。不过ASML的设备在套刻精度上还是更厉害一些，在使用多重曝光技术的时候，整体的芯片制造效率也更高。

光刻机技术突破

ASML的首席技术官马丁·范登布林克在一次采访中提到，当初美国刚开始对中国的相关企业进行制裁的时候，中国在光刻机技术上被卡在了90纳米这个节点。虽然那时候中国企业还能从ASML买其他类型的光刻机，但这件事让他们意识到问题的严重性，也开始更加重视自主研发光刻机的技术。

对中国光刻机产业来说，最大的瓶颈其实还是整个产业链不够完善，这导致整体发展速度比较慢。不过现在中国企业已经成功研发出了干式光刻机，接下来的重点就是突破浸润式光刻技术，然后再逐步推进EUV光刻机的测试和应用。

自主可控芯片发展

虽然技术路线已经很明确，但里面涉及到很多因素，比如技术专利、供应链的水平、市场的发展等等，所以还是有一定产业壁垒的。不过美国的全面制裁反而给中国企业提供了一个发展自己技术的好机会。因为现在进不了国外的设备，想要活下去，唯一的出路就是大家联合起来，一起研发自主可控的芯片制造设备。